Intel создала первую в мире микросхему по 45-нанометровой технологии

{advertising}

25 января 2006 года корпорация Intel объявила о создании первой в мире микросхемы статической памяти емкостью 153 мегабайта, которая изготовлена по 45-нанометровой технологии.

Микросхема стала первой в мире полностью работоспособной микросхемой статической памяти (SRAM, Static Random Access Memory), изготовленной по новейшей технологии массового производства полупроводниковых компонентов.

45-нанометровая производственная технология Intel позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас.

Это дает возможность увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью.

Микросхема статической памяти, изготовленная по 45-нанометровой производственной технологии, содержит более 1 миллиарда транзисторов.

Этот важный результат подтверждает планы корпорации Intel начать производство микросхем по 45-нанометровой производственной технологии с использованием 300-мм подложек в 2007 году, а также ее намерение следовать закону Мура, внедряя производственные процессы новых поколений каждые два года.

Сегодня корпорация Intel является лидером отрасли по массовому выпуску полупроводниковых компонентов с использованием 65-нанометровой производственной технологии. Две фабрики в штатах Аризона и Орегон уже работают по этой технологии, еще две фабрики — в Ирландии и штате Орегон — вступят в строй в этом году.

Ранее корпорация Intel объявила о том, что, кроме фабрики D1D в штате Орегон, где были проведены начальные работы по развертыванию 45-нанометрового производственного процесса, строятся еще две фабрики по массовому производству микросхем по 45-нанометровой производственной технологии: Fab 32 в штате Аризона и Fab 28 в Израиле.